英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7

　　英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制(例如电动助力转向系统(EPS))、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。　　与上一代产品相比，英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超过1.3 mΩ，达到目前业内的领先水平。该产品以5 x 6 mm² 封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。此外，IAUCN08S7N013 还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的认证。
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发布时间：2024-04-17 09:49 阅读量：362 继续阅读>>
瑞萨电子收购PCB软件巨头Altium
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瑞萨电子收购PCB软件巨头Altium

　　先进半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球领先的电子设计系统供应商Altium今天宣布，双方已就瑞萨电子达成一项计划实施协议(“SIA”)，以根据澳大利亚法律的协议安排(“计划”)的方式收购Altium。　　根据交易条款，在满足若干条件的前提下，瑞萨电子将以每股68.50澳元的现金价格收购Altium的所有已发行股份，总股本价值约为91亿澳元(约60亿美元)。　　此次收购使两家行业领导者能够联手建立一个集成和开放的电子系统设计和生命周期管理平台，允许跨组件、子系统和系统级设计进行协作。该交易与瑞萨电子的数字化战略高度契合，是该公司在为电子系统设计人员在系统层面带来增强用户体验和创新的第一步。　　随着技术的进步，电子系统的设计和集成变得越来越复杂。当前的电子系统设计流程是一个复杂且迭代的过程，涉及多个利益相关者和设计步骤，从组件选择和评估到仿真和 PCB 物理设计。工程师必须能够在缩短的开发周期下设计出不仅功能强大，而且高效且具有成本效益的系统。　　瑞萨电子和Altium在共同的愿景下，共同致力于构建一个集成、开放的电子系统设计和生命周期管理平台，在系统层面统一这些步骤。此次收购将Altium先进的云平台功能与瑞萨电子强大的嵌入式解决方案组合结合在一起，将高性能处理器、模拟、电源和连接相结合。该组合还将实现与整个生态系统中的第三方供应商的集成，以便在云上无缝执行所有电子设计步骤。电子系统设计和生命周期管理平台将提供各种电子设计数据和功能的集成和标准化，并增强组件生命周期管理，同时实现设计流程的无缝数字迭代，以提高整体生产力。这大大加快了创新速度，并通过减少开发资源和低效率降低了系统设计人员的进入门槛。　　“开发过程继续发展和加速。我们秉持'让我们的生活更轻松'的宗旨，我们的愿景是让电子设计进入更广泛的市场，通过基于云的平台实现更多创新，“瑞萨电子首席执行官Hidetoshi Shibata说。Altium的加入将使我们能够提供一个集成和开放的开发平台，使各种规模和行业的企业更容易构建和扩展他们的系统。我们期待与Altium的才华横溢的团队合作，继续投资并推动我们的合并平台为客户创造新的价值。　　“我坚信，电子产品是建设智能和可持续世界的最关键行业。瑞萨电子富有远见的领导力和致力于让所有人都能使用电子产品的承诺与Altium产生了强烈的共鸣。Altium的行业转型愿景在瑞萨电子的这一宏伟愿景中得到了最充分的体现，“Altium首席执行官Aram Mirkazemi说。作为合作伙伴，我们与瑞萨电子密切合作了近两年，我们很高兴能成为瑞萨电子团队的一员，继续成功执行和发展。　　Altium(前称Protel International Limited)有限公司由Nick Matrin于1985年在塔斯马尼亚岛的霍巴特成立，用来开发基于计算机的软件来辅助进行印制电路板(PCB)设计，是全球首批印刷电路板(PCB)设计工具供应商之一。该公司已发展成为全球市场领导者，拥有当今最流行的 PCB 软件工具。公司所推出的第一套DOS版本PCB设计工具被澳大利亚电子行业广泛接受，到1986年中期，Altium公司开始通过销售商向美国和欧洲出口设计包。随着PCB设计包的成功，Altium开始扩大产品范围，所生产的产品包括原理图输入、PCB自动布线以及自动PCB元件布局软件。　　Altium 365是全球首个用于设计和实现电子硬件的数字平台，Altium 365是Altium领先的PCB设计软件，可在整个PCB设计过程中实现无缝协作。2023年6月，瑞萨电子宣布，已在Altium的Altium 365云平台上对所有PCB设计进行标准化开发。瑞萨电子一直在与Altium合作，将其所有产品的ECAD库发布到Altium Public Vault。借助Altium365上的制造商零件搜索等功能，客户可以直接从Altium库中选择瑞萨电子零件，以加快产品上市速度。　　该交易已获得两家公司董事会的一致批准，预计将于2024年下半年完成。交易的完成尚需获得Altium股东的批准、澳大利亚法院的批准以及监管部门的批准和其他惯例成交条件。Altium董事会一致建议Altium股东投票赞成该计划，前提是没有更好的提案，并且独立专家得出结论(并继续得出结论)该计划符合Altium股东的最佳利益。在符合这些相同条件的前提下，每位Altium董事都打算投票或促使投票支持该计划的所有Altium股份。Altium将继续由首席执行官Aram Mirkazemi领导，成为瑞萨电子的全资子公司。　　财务摘要　　此次收购加强了瑞萨电子的财务状况，并通过加速瑞萨电子的数字化战略为股东提供了巨大的价值。　　该交易的财务亮点包括：　　以每股68.50澳元现金购买所有Altium普通股。这比2024年2月14日(交易公告前的最后一个交易日)Altium普通股收盘价溢价约34%，较Altium自2024年1月15日起的一个月成交量加权平均价格(“VWAP”)溢价约39%，较Altium自11月15日起三个月VWAP溢价约46%。2023年，较Altium的历史最高收盘价溢价约31%。　　此次全现金交易的股权价值约为91亿澳元，企业价值约为88亿澳元。　　该交易在没有协同效应的情况下立即增加收益;合并后的公司预计将在交易完成后实现收入和成本协同效应对收益的影响。Altium带来2.63亿美元的收入、36.5%的EBITDA利润率和77%的经常性收入。这些指标基于Altium截至2023年6月30日的财年。　　瑞萨电子计划通过银行贷款和手头现金为交易提供资金，该交易不受任何融资条件的约束。　　瑞萨电子预计将在交易完成后的3年内将其净债务/非GAAP息税折旧摊销前利润倍数降至<1.0倍。
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发布时间：2024-02-18 17:13 阅读量：1209 继续阅读>>
英飞凌MO<span style='color:red'>TI</span>X™系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC
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英飞凌MOTIX™系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160 V双通道栅极驱动器IC

　　英飞凌科技宣布其适用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX™系列再添新成员。为进一步扩大这一先进产品系列的阵容，英飞凌推出了MOTIX™双通道栅极驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160 V 的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案，具有出色的抗闩锁能力，并且专门用于电池供电应用，如无绳电动工具、多旋翼飞行器、无人机和电池电压高达120 V 的轻型电动汽车等。　　MOTIX™ 2ED27xxS01G　　英飞凌的 SOI 技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性， 以及业界一流的对 VS 引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管，可为外部高压侧自举电容供电，从而进一步降低系统级 BOM 成本。这些半导体器件采用紧凑型3 x 3 mm² VSON10 封装，并且提供半桥(HB)和高边 + 低边(HS + LS)两种配置以及两种不同的拉/灌电流，可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。　　2ED2732S01G 和2ED2742S01G 的拉电流为1 A，灌电流为2 A;2ED2738S01G 和2ED2748S01G的拉电流为4 A，灌电流为8 A。所有产品的 VCC 和 VB引脚均具有独立的欠压锁定(UVLO)功能，半桥产品还集成了击穿保护(STP)功能。此外，相关的 JEDEC78/20/22测试表明，MOTIX™ 160 V 解决方案完全满足工业应用要求。
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发布时间：2024-01-04 13:16 阅读量：1579 继续阅读>>
英飞凌推出MO<span style='color:red'>TI</span>X双通道栅极驱动器IC
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英飞凌推出MOTIX双通道栅极驱动器IC

　　英飞凌科技宣布其适用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX系列再添新成员。为进一步扩大这一先进产品系列的阵容，英飞凌推出了MOTIX双通道栅极驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案，具有出色的抗闩锁能力，并且专门用于电池供电应用，如无绳电动工具、多旋翼飞行器、无人机和电池电压高达120V的轻型电动汽车等。　　英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管，可为外部高压侧自举电容供电，从而进一步降低系统级BOM成本。这些半导体器件采用紧凑型3 x 3 mm? VSON10封装，并且提供半桥(HB)和高边 + 低边(HS + LS)两种配置以及两种不同的拉/灌电流，可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。　　2ED2732S01G和2ED2742S01G的拉电流为1A，灌电流为2A;2ED2738S01G和2ED2748S01G的拉电流为4A，灌电流为8A。所有产品的VCC和VB引脚均具有独立的欠压锁定(UVLO)功能，半桥产品还集成了击穿保护(STP)功能。此外，相关的JEDEC78/20/22测试表明，MOTIX 160V解决方案完全满足工业应用要求。
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发布时间：2023-12-25 14:55 阅读量：1235 继续阅读>>
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
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ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。　　近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。　　与以往TO-252封装(6.60mm×10.00mm×2.30mm)的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案(焊盘图案)，因此也可以直接使用现有的电路板。　　五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间(trr*2)并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。　　此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源。　　新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格400日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360等电商平台可购买。　　今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。　　<应用示例>　　・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等　　・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机　　<电商销售信息>　　开始销售时间：2023年12月起　　电商平台：Ameya360　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　OHM的官网上提供与SOT-223-3封装相关的应用指南以及各种电路设计所需的资料。　　https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet　　<什么是PrestoMOS>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　<术语解说>　　*1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) trr：反向恢复时间(Reverse Recovery Time)　　内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。
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发布时间：2023-12-07 15:30 阅读量：1281 继续阅读>>
罗姆与Quanmatic公司利用量子技术优化制造工序并完成验证
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罗姆与Quanmatic公司利用量子技术优化制造工序并完成验证

　　全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)于2023年1月起与 Quanmatic Inc.(总部位于日本东京都新宿区，以下简称“Quanmatic”)展开合作，在半导体制造工序之一的EDS工序中测试并引入量子技术，以优化制造工序中的组合。目前，双方已经在提高生产效率方面取得了一定成果，目标是在2024年4月正式应用该成果。在半导体制造工厂的大型量产线上证实量子技术对制造工序的优化效果，在全球范围内尚属先例。　　近年来，很多领域都在尝试利用量子技术，特别是量子退火算法*2在物流行业的配送路线优化等组合优化领域的应用越来越广泛。另一方面，在半导体行业，随着制造工序的增加，组合数量呈指数级增长趋势，而且还存在很多制约条件，因此很难得到最优解，目前，量子技术在生产工序中的应用仅限于类似于古典计算机可以运算的程度。　　在EDS工序中也一样，生产设备、测试设备、测试条件等的组合数很庞大，因此即使只是部分工序，也很难得出优化制造工序的解决方案。所以，以往通常是根据基本的计算规则，利用所积累的知识和技术来进行操作(工序划分)。　　在这种背景下，罗姆与Quanmatic于2023年1月开始研究考虑到EDS工序中的各种制约条件的、使用量子解决方案的操作系统。Quanmatic拥有建基于早稻田大学和庆应义塾大学研究成果的量子计算技术效率提升产品群、充分利用量子和古典计算技术的计算框架以及专门的公式化技术，在此基础上，融合罗姆多年来积累的丰富的知识、技术技巧和各种数据，双方于2023年9月成功构建了原型。　　通过在罗姆国内外工厂对该原型进行测试和验证，证实运转率和交货延迟率等目标指标分别提高了几个百分点。通过形成算法，还可以大大缩短计算时间，使得根据制造条件的变化进行及时且合适的操作成为可能。　　接下来，双方将进一步深化合作，通过在海外工厂的反复试运行，进一步提高操作系统的精度，力争在2024年4月正式投入运行。　　早稻田大学 理工学术院 教授、Quanmatic CSO&Co-Founder戸川望表示：“这一成果是将大学研究的高级数学优化算法落实在具体应用中的一个案例，以量子相关技术为基础，利用每天优化的供应链提供半导体产品，这在量子技术的大规模实际应用方面具有非常重要的意义。我相信，通过不断积累这样的成果，将会为日本政府公布的“量子未来社会愿景”(到2030年量子技术的使用者达到1000万人)奠定基础。 ”　　罗姆董事 高级执行官CTO立石 哲夫表示：“在实现无碳社会的进程中，半导体的作用越来越大，而半导体产品的稳定供应也已成为一个社会课题。此次能够利用量子技术开发出适合大型量产线的操作系统，对于半导体制造行业而言是非常大的进步，这将使实时优化生产操作成为可能。罗姆不会止步于现在的成就，我们的目标是通过加快速度将量子技术及其相关方法引入到更多的工序中，构建适合所有工序的优化供应链，加强ROHM的稳定供应体系。 ”　　*1) Electrical Die Sorting。用于测试晶圆上形成的芯片的电气特性的工序，对于确保半导体元器件可靠性和提高成品率至关重要。　　*2) 由东京工业大学 西森 秀稔教授提出、由加拿大D-Wave Systems公司于2011年全球首次商用的技术，该技术引发了量子计算的研究热潮。通常认为该技术在解决组合优化问题方面表现出色，而且其应用性很强，因此在社会上的大范围实际应用将指日可待。　　■关于Quantmatic    Quanmatic由早稻田大学戸川望教授(Chief Scientific Officer)、CEO古贺纯隆、庆应义塾大学田中宗副教授(Chief Technology Officer)和Chief Product Officer武笠阳介四人于2022年10月创立，公司以戸川望教授的研究成果为基础，研究和开发旨在利用量子相关技术的计算机科学算法。公司以“实现人人可用量子技术的世界”为愿景，不断开发将算法知识产权应用于商业课题的优化引擎，并拓展开发独立于硬件的提高“通用量子计算技术”效率的解决方案。　　https://quanmatic.com/en/
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发布时间：2023-12-06 08:59 阅读量：1616 继续阅读>>
英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准
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英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

　　英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。　　与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装(带底部和双面散热型)、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 A，Rthjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势(如48:1 DC-DC 转换)提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。　　主要特点　　业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET　　与 25 V 节点相比，RDS(on) 达到新基准　　出色的 FOMQg/ FOMQOSS　　极低的寄生效应　　提供标准和中心栅极引脚　　可选双面散热型　　主要优势　　适用于高转换率DC-DC 转换器　　降低导通/开关损耗　　最佳开关性能和低过冲　　源极底置中心栅极可优化并联电路布局　　源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配　　双面散热，提高散热性能　　价值主张　　适用于高比率 DC-DC 转换器：　　业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET　　与 OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%　　出色的 FOMQOSS 和 FOMQg　　紧凑的PQFN 2x2 mm2封装　　ID(pulse)=516A，RthJCmax=3.2K/W　　双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：　　- 简化散热管理　　- 降低系统温度　　提高功率密度　　15V产品组合
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发布时间：2023-11-29 11:05 阅读量：1722 继续阅读>>
罗姆完成对Solar Frontier 原国富工厂的收购—计划作为蓝碧石半导体宫崎第二工厂投入运营
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罗姆完成对Solar Frontier 原国富工厂的收购—计划作为蓝碧石半导体宫崎第二工厂投入运营

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)依据与Solar Frontier Co., Ltd.签订的基本协议※，于今日完成了对该公司原国富工厂的资产收购工作。　　该工厂经过修整之后，将作为罗姆旗下制造子公司—蓝碧石半导体公司的宫崎第二工厂投入运营。目前计划作为SiC功率半导体的主要生产基地于2024年年内投产。　　未来，罗姆集团将在把握市场趋势的同时，继续根据中期经营计划扩充产能，并贯彻实施BCM举措，努力确保稳定供应。　　地方政府的期待　　宫崎县 河野俊嗣 知事表示：　　“期待罗姆集团、蓝碧石半导体此次的计划能够为本县的经济发展做出巨大贡献。未来，宫崎县将继续携手地方政府，携手国富町，在培养人才和留住人才等方面，提供最大程度的支持。”　　宫崎县东诸县郡国富町中别府 尚文町长表示：　　“罗姆集团及其旗下的蓝碧石半导体将该工厂作为新的SiC功率半导体生产基地，开展大规模业务，我期待这一规划能够带动本町经济等各个领域的快速发展。未来，国富町将与宫崎县通力合作，全力支持企业向前发展。”
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发布时间：2023-11-15 13:02 阅读量：1278 继续阅读>>
TE Connectivity与新华三集团签署传感器相关战略协议
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TE Connectivity与新华三集团签署传感器相关战略协议

　　近日，连接和传感领域的全球行业技术领先企业TE Connectivity （以下简称“TE”）与新华三集团（以下简称“新华三”）在杭州签署传感器相关战略合作协议。双方将在工业传感器解决方案研发与落地、工业互联网技术孵化、人才培养与交流等多方面展开深度合作，以期打造差异化产品和市场优势，更好地服务各行业数字化及智能化转型需求。TE传感器事业部全球销售、客户服务及业务发展副总裁Joseph A. Karim先生及新华三集团副总裁、首席科学家李立先生出席了签约仪式。　　当前，工业、医疗、交通等各行业都在经历数字化与智能化变革。传感器作为连接物理世界和数字世界的“桥梁”，是各行各业实现数字化和智能化的起点。TE致力于打造高精确、高可靠、高性能、高品质的创新传感器解决方案，助力各行业客户加速数字化与智能化发展。目前，TE的连接和传感器解决方案已广泛应用于智能交通运输、工业互联网、智能制造、能源基础设施、医疗设备等行业领域，覆盖工业状态监测、机器人及协作机器人、微创医疗、汽车电驱等重点应用。　　新华三集团是数字化解决方案领导者，拥有计算、存储、网络、5G、安全、终端等全方位的数字化基础设施整体能力，提供云计算、大数据、人工智能、工业互联网、信息安全、智能联接、边缘计算等在内的一站式数字化解决方案；为医疗、交通、制造、能源、互联网、建筑等各行业数字化转型实践提供支持，产品和解决方案广泛应用于百余个国家和地区。　　合作　　此次，TE与新华三达成合作，双方将共同孵化面向石油天然气、化工、轨道交通、能源、矿山，生物医药，电子信息，装备制造等工业场景的新型工业传感器产品及联合解决方案，并围绕共创成果推广、人才培养等方面开展深度合作，携手打造差异化的整体产品方案及市场竞争优势。　　共赢　　新华三集团副总裁、首席科学家李立先生指出，通过新型工业传感器对设备及生产进行精确监测，可以为后续的数据分析和决策提供重要基础：“通过传感、物联、控制和平台等方面的技术创新及融合，我们将进一步重塑工业经济业态。”　　TE传感器事业部全球销售、客户服务及业务发展副总裁Joseph A. Karim先生表示，TE致力于创造一个更安全、可持续、高效、互连的未来，这与新华三“融绘数字未来，共享美好生活”的愿景不谋而合。“我们相信，通过充分整合双方技术、市场等优势资源，不断创新和深化合作模式，TE和新华三将能够为各行业客户的数字化与智能化发展提供更好、更充分的支持，为加速高质量发展添砖加瓦。”
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发布时间：2023-11-10 14:18 阅读量：986 继续阅读>>
罗姆ROHM完成对Solar Frontier 原国富工厂的收购
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罗姆ROHM完成对Solar Frontier 原国富工厂的收购

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)依据与Solar Frontier Co., Ltd.签订的基本协议※，于今日完成了对该公司原国富工厂的资产收购工作。　　该工厂经过修整之后，将作为罗姆旗下制造子公司——蓝碧石半导体公司的宫崎第二工厂投入运营。目前计划作为SiC功率半导体的主要生产基地于2024年年内投产。　　未来，罗姆集团将在把握市场趋势的同时，继续根据中期经营计划扩充产能，并贯彻实施BCM举措，努力确保稳定供应。　　*预计Solar Frontier将继续使用其中的部分场地和建筑物作为办公场所(租赁)　　<地方政府的期待>　　宫崎县 河野俊嗣 知事表示：　　“期待罗姆集团、蓝碧石半导体此次的计划能够为本县的经济发展做出巨大贡献。未来，宫崎县将继续携手地方政府，携手国富町，在培养人才和留住人才等方面，提供最大程度的支持。”　　宫崎县东诸县郡国富町中别府 尚文町长表示：　　“罗姆集团及其旗下的蓝碧石半导体将该工厂作为新的SiC功率半导体生产基地，开展大规模业务，我期待这一规划能够带动本町经济等各个领域的快速发展。未来，国富町将与宫崎县通力合作，全力支持企业向前发展。
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发布时间：2023-11-08 09:20 阅读量：2276 继续阅读>>

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